2024年9月27日下午，邓亚州博士在躬行C楼102会议室作了题名为《二维范德瓦尔斯铁磁体的输运特性与新型电子器件的研究》的学术报告，部分感兴趣师生参加了此次报告会。随着全球半导体产业快速发展，传统半导体器件的微型化接近物理极限，寻找新材料和开发新型器件成为解决这一挑战的希望之路。二维范德瓦尔斯材料以其独特的优势引起了广泛关注，被视为有望取代传统硅基半导体材料的候选之一。本次报告聚焦于室温范德瓦尔斯铁磁材料Fe5GeTe2和Fe3GaTe2体系。通过电学手段研究了铁磁母体晶体，以及通过Co部分取代Fe而诱导出A型反铁磁的掺杂晶体。系统性地描绘了其厚度接近二维极限时的磁性演化。同时，根据这些晶体的优异的磁性和可解理特性，制备了具有突出性能的微纳磁性电子器件。这对于实现多功能电子器件、光电器件和自旋电子器件具有重要意义。报告内容丰富，与会师生就材料制备和器件检测中感兴趣的问题进行了深入的讨论，并就之后的研究工作做了进一步规划。
（撰稿：邓亚州，图：武山，学院审核：武山）
